辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法

Measurement method of radiation induced traps by deep level transient spectroscopy

标准介绍

本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱（DLTS）测试辐射诱生缺陷的方法和程序。
本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。

提出部门

中国电子学会可靠性分会

发布部门

中国电子学会