碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高压高温高湿反偏试验方法

High voltage high temperature high humidity reverse bias test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET)

标准介绍

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高压高温高湿反偏试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。 本文件适用范围：SiC MOSFET分立功率器件，功率模块。

提出部门

北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

发布部门

第三代半导体产业技术创新战略联盟