硅片径向电阻率变化测量方法

Test method for measuring radial resistivity variation on silicon wafers

标准介绍

本文件描述了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。
本文件适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、室温电阻率在3×10-4 Ω·cm～1.8×104 Ω·cm的p型硅单晶片及室温电阻率在6×10-3 Ω·cm～1×105 Ω·cm的n型硅单晶片的径向电阻率变化的测量。硅单晶片其他范围电阻率的测量参照本文件进行。

提出部门

全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会