表面化学分析　全反射X射线荧光光谱法(TXRF)测定硅片表面元素污染

Surface chemical analysis—Determination of surface elemental contamination on silicon wafers by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy

标准介绍

本文件描述了测量经化学机械抛光或外延生长的硅片上表面元素污染的原子表面密度的TXRF方法。
本文件适用于以下情形：
——原子序数从16（S）到92（U）的元素；
——原子表面密度介于1×1010 atoms/cm2~1×1014 atoms/cm2之间的污染元素；
——采用VPD（气相分解）样品制备方法得到的原子表面密度介于5×108 atoms/cm2~5×1012 atoms/cm2之间的污染元素（见3.4）。

提出部门

全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC 38)

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会