碳化硅外延层厚度的测试　红外反射法

Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method

标准介绍

本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。
本文件适用于n型掺杂浓度大于1×1018  cm-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×1016 cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3 μm～200 μm。

提出部门

全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会