半导体器件　机械和气候试验方法　第28部分：静电放电(ESD)敏感度测试　带电器件模型(CDM)　器件级

Semiconductor devices—Mechanical and climate test methods—Part 28:Electrostatic discharge(ESD)sensitivity testing—Charged device model(CDM)—device level

标准介绍

本文件依据元器件和微电路对规定的带电器件模型(CDM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度,建立了元器件和微电路的ESD测试、评价、分级的程序。本文件适用于评价所有半导体封装器件、薄膜电路、声表面波(SAW)器件、光电器件、混合集成电路(HICs)及包括任意这些器件的多芯片组件(MCMs)。为进行测试，元器件需装配在与终端应用相似的封装中。本文件涉及的CDM模型不适用于插座式放电模型测试设备。本文件描述了场感应(FI)方法，另一种能作为替代的直接接触(DC)法见附录J。
本文件的目的是建立一种能够复现CDM失效并为不同测试设备间提供可靠、可重复的CDM ESD测试结果且不区分器件类型的测试方法。重复性数据保证了CDM ESD敏感度等级的准确划分及对比。

提出部门

中华人民共和国工业和信息化部

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会