碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法

Test method for thickness and fltaness of monocrystalline silicon carbide wafers

标准介绍

本文件描述了碳化硅单晶片的厚度和平整度测试方法，包括接触式和非接触式测试方法。
本文件适用于厚度为0.13 mm⁓1 mm，直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm的碳化硅单晶片厚度和平整度的测试。
本文件也适用于碳化硅外延片厚度和平整度的测试。

提出部门

全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会