表面化学分析　二次离子质谱　硅中硼深度剖析方法

Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of boron in silicon

标准介绍

本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法，以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。
本文件适用于硼原子浓度范围1×1016 atoms/cm3～1×1020 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅或非晶硅样品，溅射弧坑深度在50 nm及以上。

提出部门

全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC 38)

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会