碳化硅外延片表面缺陷的测试　激光散射法

Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method

标准介绍

本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。
本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。

提出部门

全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会