CMOS集成电路抗辐射加固设计要求

Design requirements of radiation hardening for CMOS IC

标准介绍

本文件规定了CMOS集成电路抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计的流程、设计要求、建模仿真、验证试验要求。本文件适用于基于体硅/SOI CMOS工艺的数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路的抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计。

提出部门

全国宇航技术及其应用标准化技术委员会(SAC/TC 425)

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会