硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定　电感耦合等离子体质谱法

Determination of impurity content in trichlorosilane for silicon epitaxy—Inductively coupled plasma mass spectrometry

标准介绍

本文件描述了硅外延用三氯氢硅中锂、硼、钠、镁、铝、钾、钙、磷、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镓、钼、砷、铅等元素的电感耦合等离子体质谱仪测定方法。
本文件适用于硅外延用三氯氢硅中杂质元素含量的测定。各元素测定范围见表1。

提出部门

全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会