用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy

标准介绍

本文件规定了多晶硅棒取样、将样品区熔拉制成单晶以及通过低温红外光谱法或光致发光光谱法对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中施主、受主、代位碳和间隙氧杂质含量等的规程。本文件适用于评价硅芯上沉积生长的棒状多晶硅。

提出部门

全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会