Test method for surface quality and micropipe density of polished silicon carbide wafers—Confocal and differential interferometry optics
本文件规定了4H碳化硅抛光片表面质量和微管密度的共焦点微分干涉测试方法。
本文件适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm,厚度范围为300 μm~1 000 μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
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