Test method for dislocation density of diamond single crystal polished wafer
本文件描述了用干法刻蚀结合显微计数测试立方金刚石单晶抛光片位错密度的方法。
本文件适用于{100}、{110}或{111}晶面立方金刚石单晶抛光片位错密度范围为5×103个/cm2~5×107个/cm2的测试。
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
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