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  • SiC MOSFET阈值电压测试方法 电流源单点测试法

    SiC MOSFET threshold voltage test method——current source single point testing method

  • 标准编号:T/IAWBS 022-2024 现行 发布日期: 2024-12-23 实施日期: 2024-12-30 标准ICS号:31.080.30 中标分类号:L40/49
  • 标准介绍

    本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法。 本文件适用于SiC MOSFET阈值电压的测量,包含测试原理,测试电路以及测试条件。

  • 提出部门

    中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

  • 发布部门

    中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

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