半导体晶片近边缘几何形态评价　第2部分：边缘卷曲法(ROA)

Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 2:Roll-off amount(ROA)

标准介绍

本文件描述了用边缘卷曲法(ROA)评价半导体晶片近边缘几何形态的方法。
本文件适用于直径300 mm 硅抛光片、硅外延片、绝缘体上硅(SOI片)及其他带有表面层的圆形晶片,也适用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。
注:直径200 mm 硅片参考本文件。

提出部门

全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会