碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法

Dynamic gate stress test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistor（SiC MOSFET）

标准介绍

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）动态栅偏试验方法，包括：试验条件、测试方法、应用范围以及失效判据。 本文件适用于对SiC MOSFET栅氧质量的评估，主要包括芯片、分立器件、模块。

提出部门

北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

发布部门

第三代半导体产业技术创新战略联盟