碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法

Dynamic reverse bias (DRB) test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET)

标准介绍

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的动态反偏(DRB)试验方法，用于评估高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化。 本文件适用于单管级和模块级SiC MOSFET。

提出部门

北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

发布部门

第三代半导体产业技术创新战略联盟