半导体器件　栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验

Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown(TDDB)test for gate dielectric films

标准介绍

本文件描述了半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验方法以及TDDB失效的产品寿命时间估算方法。

提出部门

中华人民共和国工业和信息化部

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会