半导体器件　金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验

Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors

标准介绍

本文件描述了晶圆级的NMOS和PMOS晶体管热载流子试验方法，该试验旨在确定某个CMOS工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子注入效应的寿命时间。

提出部门

中华人民共和国工业和信息化部

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会