半导体器件　金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验

Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)

标准介绍

本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。

提出部门

中华人民共和国工业和信息化部

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会