半导体器件　内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验

Semiconductor devices—Time-dependent dielectric breakdown(TDDB) test for inter-metal layers

标准介绍

本文件描述了半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)的试验方法、测试结构和寿命时间估算方法。

提出部门

中华人民共和国工业和信息化部

发布部门

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会