Micro-electromechanical systems (MEMS) technology—Wafer curvature and cantilever beam deflection test methods for determining residual stresses of MEMS films
本文件描述了测量厚度范围为0.01 μm~10 μm的MEMS膜残余应力的方法,包含晶圆曲率法和悬臂梁挠度法。
本文件适用于沉积在已知杨氏模量和泊松比等力学性质衬底上的膜。
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
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